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NTD3055L104T4G

制造商：ON(安森美)

商品参数：NTD3055L104T4G

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,12A,104mΩ@5V

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型号NTD3055L104T4G
制造商ON(安森美)
封装TO-252-2(DPAK)
FET 功能逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）20nC @ 5V
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）440pF @ 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Ta）
功率 - 最大值1.5W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）104 毫欧 @ 6A，5V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 250μA
安装类型表面贴装

NTD3055L104T4G月价格走势

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