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STP60NF06

制造商：ST(意法半导体)

商品参数：STP60NF06 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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型号STP60NF06
制造商ST(意法半导体)
封装TO-220(TO-220-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）
功率 - 最大值110W
封装形式PackageTO-220
连续漏极电流（Id）（25°C 时）60A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）16 毫欧 @ 30A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
极性PolarityN-CH
栅源极阈值电压4V @ 250uA
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
漏源极击穿电压VDSS60V
漏源导通电阻16mΩ @ 30A,10V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）73nC @ 10V
连续漏极电流ID60A
最大功率耗散（Ta=25°C）110W
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1660pF @ 25V
MPQ无
类型N沟道
漏源电压（Vdss）60V

STP60NF06月价格走势

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