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IRFD110PBF

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：IRFD110PBF 管装

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,100V,1A,540mΩ@10V

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型号IRFD110PBF
制造商VISHAY(威世)
封装HVMDIP-4
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型通孔
连续漏极电流（Id）（25°C 时）1A
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）8.3nC @ 10V
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源极电压（Vdss）100V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）180pF @ 25V
漏源导通电阻540mΩ @ 600mA,10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1A（Ta）
功率 - 最大值1.3W
最大功率耗散（Ta=25°C）1.3W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）540 毫欧 @ 600mA，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
类型N沟道
漏源电压（Vdss）100V

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