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NTD2955T4G

制造商：ON(安森美)

商品参数：NTD2955T4G

所属分类：MOS(场效应管)

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型号NTD2955T4G
制造商ON(安森美)
封装TO-252-2(DPAK)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）30nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）750pF @ 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Ta）
功率 - 最大值55W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）180 毫欧 @ 6A，10V
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA
安装类型表面贴装

NTD2955T4G月价格走势

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