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ZVN2120GTA

制造商：DIODES(美台)

商品参数：ZVN2120GTA

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,200V,0.32A,10Ω@10V

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型号ZVN2120GTA
制造商DIODES(美台)
封装SOT-223
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA
FET 功能标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）85pF @ 25V
漏源极电压（Vdss）200V
功率 - 最大值2W
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）320mA（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）10 欧姆 @ 250mA，10V
安装类型表面贴装

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