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AOD4N60

制造商：AOS

商品参数：AOD4N60

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,600V,4A,2.3Ω@10V

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型号AOD4N60
制造商AOS
封装TO-252-2(DPAK)
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）2.3 欧姆 @ 2A，10V
工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 250μA
安装类型表面贴装
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）14.5nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）600V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）640pF @ 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Tc）
功率 - 最大值104W

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