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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > FDN372S
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FDN372S

制造商：FAIRCHILD(飞兆/仙童)

商品参数：FDN372S

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,30V,2.6A,40mΩ@10V

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型号FDN372S
制造商FAIRCHILD(飞兆/仙童)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）8.1nC @ 5V
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）630pF @ 15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.6A（Ta）
功率 - 最大值460mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）40 毫欧 @ 2.6A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA
安装类型表面贴装

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