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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > NX7002BKR
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NX7002BKR

制造商：NXP(恩智浦)

商品参数：NX7002BKR

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,0.27A,2.8Ω@10V

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型号NX7002BKR
制造商NXP(恩智浦)
封装SOT-23(SOT-23-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）270mA（Ta）
功率 - 最大值310mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）2.8 欧姆 @ 200mA，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.1V @ 250μA
安装类型*
FET 功能逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）1nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）23.6pF @ 10V

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