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SI2304BDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2304BDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,30V,3.2A,70mΩ@10V

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型号SI2304BDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻70mΩ @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）750mW
类型N沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.2A

SI2304BDS-T1-GE3月价格走势

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