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SI4435DDY-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI4435DDY

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI4435DDY-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOIC-8_150mil
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
安装类型表面贴装
漏源导通电阻24mΩ @ 9.1A,10V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）50nC @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1350pF @ 15V
类型P沟道
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）11.4A（Tc）
功率 - 最大值5W
连续漏极电流（Id）（25°C 时）11.4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）24 毫欧 @ 9.1A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
栅源极阈值电压3V @ 250uA

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