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AO4407A

制造商:AOS

商品参数:AO4407A

所属分类:MOS(场效应管)

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P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V
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型号AO4407A
制造商AOS
封装SOIC-8_150mil
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Ta)
功率 - 最大值3.1W
封装形式PackageSOIC
类型P沟道
漏源电压(Vdss)30V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)11 毫欧 @ 12A,20V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
极性PolarityP-CH
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
安装类型表面贴装
漏源极击穿电压VDSS30V
栅源极阈值电压3V @ 250uA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)39nC @ 10V
连续漏极电流ID12A
漏源导通电阻11mΩ @ 12A,20V
漏源极电压(Vdss)30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)2600pF @ 15V
MPQ
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W

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