您好, 欢迎来到大联芯城 会员注册| 会员登录
合作商中心 客服中心:0755-82551557
位置:首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AO4407A
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
浏览量:473
分享:
AO4407A

制造商:AOS

商品参数:AO4407A

所属分类:MOS(场效应管)

近期最大存货

0个

近期最低价格

¥2.8033/PCS

包装数量:3000

近期最高价格:¥2.8906/PCS

低于最高价格:3.02%

查看所有价格

服务承诺:正品行货现货现发异议退换

商品说明

P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V
  • RoHS标识

  • 无铅标识

  • 商品价格
  • 规格说明
  • 价格趋势
  • 商品评论
自营样品原厂正品现货库存4小时发货
供应商编号 供应商型号 货期 说明 库存 梯度价格(含税13%)
自营(DL0001)
AO4407A 当天发货 P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V 0

1+

30+

¥2.890600

¥2.803300

批量售价原厂正品现货库存4小时发货
暂无供应商提供配价
更多商品数据加载中...
型号AO4407A
制造商AOS
封装SOIC-8_150mil
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Ta)
功率 - 最大值3.1W
封装形式PackageSOIC
类型P沟道
漏源电压(Vdss)30V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)11 毫欧 @ 12A,20V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
极性PolarityP-CH
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
安装类型表面贴装
漏源极击穿电压VDSS30V
栅源极阈值电压3V @ 250uA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)39nC @ 10V
连续漏极电流ID12A
漏源导通电阻11mΩ @ 12A,20V
漏源极电压(Vdss)30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)2600pF @ 15V
MPQ
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W

AO4407A月价格走势

  • 数据加载中...
客户账号下单数量下单金额下单时间
注:只显示最近20条记录
注:只显示最近20条记录
  • 相关商品
关闭

意见反馈

感谢您使用大联芯城,请留下您宝贵的意见,我们一定认真对待!

商品对比

[隐藏]