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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AO7800
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AO7800

制造商：AOS

商品参数：AO7800

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,20V,0.9A,300mΩ@4.5V

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型号AO7800
制造商AOS
封装SC-70-6(SOT-363)
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）900mV @ 250μA
安装类型表面贴装
类型双N沟道
漏源电压（Vdss）20V
FET 类型2 个 N 沟道（双）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）1.9nC @ 4.5V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）900mA
FET 功能逻辑电平门
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）120pF @ 10V
栅源极阈值电压900mV @ 250uA
漏源极电压（Vdss）20V
功率 - 最大值300mW
漏源导通电阻300mΩ @ 900mA,4.5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）300 毫欧 @ 900mA，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
最大功率耗散（Ta=25°C）300mW

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