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Si2309CDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：Si2309CDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号Si2309CDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）4.1nC @ 4.5V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）1.6A
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）210pF @ 30V
栅源极阈值电压3V @ 250uA
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.6A（Tc）
功率 - 最大值1.7W
漏源导通电阻345mΩ @ 1.25A,10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）345 毫欧 @ 1.25A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
最大功率耗散（Ta=25°C）1W
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
安装类型表面贴装
类型P沟道
漏源电压（Vdss）60V

Si2309CDS-T1-GE3月价格走势

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