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SI4800BDY-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI4800BDY-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI4800BDY-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOIC-8_150mil
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.8V @ 250μA
类型N沟道
漏源电压（Vdss）30V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）13nC @ 5V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6.5A
漏源极电压（Vdss）30V
功率 - 最大值1.3W
栅源极阈值电压1.8V @ 250uA
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.5A（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻18.5mΩ @ 9A,10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）18.5 毫欧 @ 9A，10V
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）1.3W

SI4800BDY-T1-GE3月价格走势

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