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SI2306BDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2306BDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI2306BDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）4.5nC @ 5V
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）305pF @ 15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.16A（Ta）
功率 - 最大值750mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）47 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
安装类型表面贴装

SI2306BDS-T1-GE3月价格走势

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