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SI2333CDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2333CDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI2333CDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）25nC @ 4.5V
漏源导通电阻35mΩ @ 5.1A,4.5V
漏源极电压（Vdss）12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1225pF @ 6V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）7.1A（Tc）
功率 - 最大值2.5W
类型P沟道
漏源电压（Vdss）12V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）35 毫欧 @ 5.1A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.1A
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA
安装类型表面贴装
栅源极阈值电压1V @ 250uA

SI2333CDS-T1-GE3月价格走势

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