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NTR4502PT1G

制造商：ON(安森美)

商品参数：NTR4502PT1G

所属分类：MOS(场效应管)

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型号NTR4502PT1G
制造商ON(安森美)
封装SOT-23(SOT-23-3)
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）200pF @ 15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.13A（Ta）
功率 - 最大值400mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）200 毫欧 @ 1.95A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
安装类型表面贴装
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）10nC @ 10V

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