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PMV48XP,215

制造商:NXP(恩智浦)

商品参数:PMV48XP,215

所属分类:MOS(场效应管)

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P沟道,-20V,-3.5A,55mΩ@-4.5V
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型号PMV48XP,215
制造商NXP(恩智浦)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.25V @ 250μA
安装类型表面贴装
漏源导通电阻55mΩ @ 2.4A,4.5V
FET 功能逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)11nC @ 4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)510mW
漏源极电压(Vdss)20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)1000pF @ 10V
类型P沟道
漏源电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3.5A(Ta)
功率 - 最大值510mW
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.5A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)55 毫欧 @ 2.4A,4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
栅源极阈值电压1.25V @ 250uA

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