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Si2318CDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：Si2318CDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,40V,5.6A,42mΩ@10V

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型号Si2318CDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
漏源导通电阻42mΩ @ 4.3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.25W
类型N沟道
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.6A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

Si2318CDS-T1-GE3月价格走势

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