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AO4466

制造商:AOS

商品参数:AO4466

所属分类:MOS(场效应管)

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N沟道,30V,10A,35mΩ@4.5V
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型号AO4466
制造商AOS
封装SOIC-8_150mil
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA
安装类型表面贴装
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)8.6nC @ 10V
栅源极阈值电压2.6V @ 250uA
漏源极电压(Vdss)30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)448pF @ 15V
漏源导通电阻23mΩ @ 10A,10V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)10A(Ta)
功率 - 最大值3.1W
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)23 毫欧 @ 10A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)30V

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