| 供应商编号 | 供应商型号 | 货期 | 说明 | 库存 | 梯度价格(含税13%) | |
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| 自营(DL0001) | Si2302CDS-T1-GE3 | 当天发货 | N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V | 0 |
1+ 200+ 500+ 1000+ ￥1.259642 ￥0.487522 ￥0.470353 ￥0.461914 |
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更多商品数据加载中...| 型号 | Si2302CDS-T1-GE3 |
| 制造商 | VISHAY(威世) |
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
| 漏源极导通电阻RDS(ON) | 57mΩ |
| MPQ | 3,000pcs |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2.6A（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源导通电阻 | 57mΩ @ 3.6A,4.5V |
| 封装形式Package | SOT-23-3 |
| 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） | 57 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 710mW |
| 极性Polarity | N-CH |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 850mV @ 250μA |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 漏源极击穿电压VDSS | 20V |
| FET 功能 | 标准 |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 5.5nC @ 4.5V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.9A |
| 连续漏极电流ID | 2.6A |
| 系列 | 低压MOS管 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V |
| 功率 - 最大值 | 710mW |
| 栅源极阈值电压 | 850mV @ 250uA |
| 客户账号 | 下单数量 | 下单金额 | 下单时间 |
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交货地：国内（含税）
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