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AO3422

制造商:AOS

商品参数:AO3422

所属分类:MOS(场效应管)

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N沟道,55V,2.1A,160mΩ@4.5V
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型号AO3422
制造商AOS
封装SOT-23-3L
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
安装类型表面贴装
栅源极阈值电压2V @ 250uA
FET 功能逻辑电平栅极,2.5V 驱动
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)3.3nC @ 4.5V
漏源导通电阻160mΩ @ 2.1A,4.5V
漏源极电压(Vdss)55V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)300pF @ 25V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.25W
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.1A(Ta)
功率 - 最大值1.25W
类型N沟道
漏源电压(Vdss)55V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)160 毫欧 @ 2.1A,4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.1A

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