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DMG6602SVT-7

制造商：DIODES(美台)

商品参数：DMG6602SVT-7

所属分类：MOS(场效应管)

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型号DMG6602SVT-7
制造商DIODES(美台)
封装TSOT-26
类型N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.4A,2.8A
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻60mΩ @ 3.1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.27W

DMG6602SVT-7月价格走势

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