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NTR4101PT1G

制造商：ON(安森美)

商品参数：NTR4101PT1G

所属分类：MOS(场效应管)

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型号NTR4101PT1G
制造商ON(安森美)
封装SOT-23(SOT-23-3)
漏源极电压（Vdss）20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）675pF @ 10V
MPQ无
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.8A（Ta）
功率 - 最大值420mW
封装形式PackageSOT-23
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
极性PolarityP-CH
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.2V @ 250μA
安装类型表面贴装
漏源极击穿电压VDSS20V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）8.5nC @ 4.5V
连续漏极电流ID3.2A

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