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DMN601VK-7

制造商：DIODES(美台)

商品参数：DMN601VK-7

所属分类：MOS(场效应管)

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双N管，60V，305mA,3Ω@4.5V

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型号DMN601VK-7
制造商DIODES(美台)
封装SOT-563
漏源导通电阻2Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）250mW
类型双N沟道
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）305mA
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

DMN601VK-7月价格走势

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