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RSU002P03T106

制造商：ROHM(罗姆)

商品参数：RSU002P03T106

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,30V,200mA,1.4Ω@10V

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型号RSU002P03T106
制造商ROHM(罗姆)
封装SOT-323(SC-70)
工作温度150°C（TJ）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，10V
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)250mA（Ta）
FET 功能-
FET 类型P 通道
安装类型表面贴装型
功率耗散（最大值）200mW（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）30pF @ 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 1mA
Vgs（最大值）±20V
技术MOSFET（金属氧化物）

RSU002P03T106月价格走势

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