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PMV65XP,215

制造商：NXP(恩智浦)

商品参数：PMV65XP,215

所属分类：MOS(场效应管)

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型号PMV65XP,215
制造商NXP(恩智浦)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）7.7nC @ 4.5V
漏源导通电阻74mΩ @ 2.8A,4.5V
漏源极电压（Vdss）20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）744pF @ 20V
最大功率耗散（Ta=25°C）480mW
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.8A（Ta）
功率 - 最大值480mW
类型P沟道
漏源电压（Vdss）20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2.8A
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）900mV @ 250μA
安装类型表面贴装
栅源极阈值电压900mV @ 250uA

PMV65XP,215月价格走势

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