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2N7002BKS,115

制造商：NXP(恩智浦)

商品参数：2N7002BKS,115

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,300mA,1.6Ω@10V

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型号2N7002BKS,115
制造商NXP(恩智浦)
封装SOT-363
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）300mA
功率 - 最大值295mW
类型双N沟道
漏源电压（Vdss）60V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）1.6 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度150°C（TJ）
连续漏极电流（Id）（25°C 时）300mA
FET 类型2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.1V @ 250μA
安装类型表面贴装
栅源极阈值电压2.1V @ 250uA
FET 功能逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）0.6nC @ 4.5V
漏源导通电阻1.6Ω @ 500mA,10V
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）50pF @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）295mW

2N7002BKS,115月价格走势

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