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MMBF170LT1G

制造商：ON(安森美)

商品参数：MMBF170LT1G

所属分类：MOS(场效应管)

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型号MMBF170LT1G
制造商ON(安森美)
封装SOT-23(SOT-23-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）500mA（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）5 欧姆 @ 200mA，10V
安装类型表面贴装
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3V @ 1mA
FET 功能标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）60pF @ 10V
漏源极电压（Vdss）60V
功率 - 最大值225mW

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