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位置：首页 >晶体管 > 晶体管 > BSS123,215
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BSS123,215

制造商：NXP(恩智浦)

商品参数：N沟道,100V,150mA,6Ω@10V

所属分类：晶体管

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型号BSS123,215
制造商NXP(恩智浦)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.8V @ 1mA
连续漏极电流（Id）（25°C 时）150mA
FET 功能逻辑电平门
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）40pF @ 25V
栅源极阈值电压2.8V @ 1mA
漏源极电压（Vdss）100V
功率 - 最大值250mW
漏源导通电阻6Ω @ 120mA,10V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）150mA（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
最大功率耗散（Ta=25°C）250mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）6 欧姆 @ 120mA，10V
安装类型表面贴装
类型N沟道
漏源电压（Vdss）100V

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