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| 供应商编号 | 供应商型号 | 货期 | 说明 | 库存 | 梯度价格(含税13%) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 自营(DL0001) | PDTA114ET,215 | 当天发货 | PNP,Vceo=-50V,Ic=-100mA | 0 |
20+ 200+ 600+ 3000+ 9000+ 21000+ ¥0.164946 ¥0.134185 ¥0.117095 ¥0.106842 ¥0.097955 ¥0.093170 |
| 暂无供应商提供配价 |
更多商品数据加载中...| 型号 | PDTA114ET,215 |
| 制造商 | NXP(恩智浦) |
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 1μA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V |
| 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) | 10k |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) | 10k |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
| 额定功率 | 250mW |
| 电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 150mV @ 500μA,10mA |
| 集电极电流Ic | 100mA |
| 客户账号 | 下单数量 | 下单金额 | 下单时间 |
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