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供应商编号 | 供应商型号 | 货期 | 说明 | 库存 | 梯度价格(含税13%) | |
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自营(DL0001) | PDTC114ET,215 | 当天发货 | NPN,Vceo=50V,Ic=100mA | 0 |
20+ 200+ 600+ 3000+ 9000+ 21000+ ¥0.173150 ¥0.141531 ¥0.123965 ¥0.113426 ¥0.104291 ¥0.099374 |
暂无供应商提供配价 |
型号 | PDTC114ET,215 |
制造商 | NXP(恩智浦) |
封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 150mV @ 500μA,10mA |
集射极击穿电压Vce | 50V |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1μA |
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) | 10k |
频率 - 跃迁 | 230MHz |
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) | 10k |
功率 - 最大值 | 250mW |
额定功率 | 250mW |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
安装类型 | 表面贴装 |
集电极电流Ic | 100mA |
客户账号 | 下单数量 | 下单金额 | 下单时间 |
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