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2N7002LT1G

制造商：ON(安森美)

商品参数：2N7002LT1G

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,0.115A,7.5Ω@10V

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型号2N7002LT1G
制造商ON(安森美)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 功能标准
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）50pF @ 25V
漏源极击穿电压VDSS60V
漏源极电压（Vdss）60V
功率 - 最大值225mW
连续漏极电流ID0.115A
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）115mA（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
MPQ无
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）7.5 欧姆 @ 500mA，10V
安装类型表面贴装
封装形式PackageSOT-23
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
极性PolarityN-CH

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