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LF412CDR

制造商:TI(德州仪器)

商品参数:LF412CDR

所属分类:FET输入运放

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商品说明

芯片 运算放大器 双路 JFET 3MHz 运放类型: 高速 放大器数目: 2 摆率: 13V/μs 电源电压范围: ± 3.5V 至 ± 18V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 3MHz 工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 70°C SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 器件标号: 412 增益带宽: 3MHz 封装/箱盒: SOIC 工作温度范围: 0°C 至 +70°C 电源电压最大值: 18V 电源电压最小值: 3.5V 电源电流: 4.5mA 输入偏移电压 最大: 3mV 额定电源电压, +: 18V
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LF412CDR 当天发货 芯片 运算放大器 双路 JFET 3MHz 运放类型: 高速 放大器数目: 2 摆率: 13V/μs 电源电压范围: ± 3.5V 至 ± 18V 放大器封装类型: SOIC 针脚数: 8 带宽: 3MHz 工作温度最小值: 0°C 工作温度最高值: 70°C SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 器件标号: 412 增益带宽: 3MHz 封装/箱盒: SOIC 工作温度范围: 0°C 至 +70°C 电源电压最大值: 18V 电源电压最小值: 3.5V 电源电流: 4.5mA 输入偏移电压 最大: 3mV 额定电源电压, +: 18V 0

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型号LF412CDR
制造商TI(德州仪器)
封装SOIC-8_150mil
电路数2
电流 - 电源4.5mA
压摆率13 V/μs
电压 - 电源,单/双(±)7 V ~ 36 V,±3.5 V ~ 18 V
增益带宽积3MHz
工作温度0°C ~ 70°C
电流 - 输入偏置50pA
安装类型表面贴装
放大器类型J-FET
电压 - 输入失调800μV

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