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MOSFET制程主要使用先进的0.25/0.18/0.13 µm制程技术,全方位应用在低压及中﹑高电压领域。 我们拥有类比积体电路﹑MOSFET ﹑肖特基二极体和被动零件等销售项目,在Co-Pak或COB达到最有效的管理和应用。 我们拥有MOSFET ﹑类比积体电路最佳设计及制程整合技术团队。

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    说明:P沟道 低压MOSFETs

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    说明:P+N双沟道,40V/22.1A,-40V/-18.6A

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    100+

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    说明:P沟道,-60V,-17.7A,100mΩ@4.5V

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    100+

    500+

    1000+

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    ¥1.082714

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P沟道,-30V,-80A,11mΩ@-4.5V

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    10+

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    100+

    500+

    1000+

    ¥2.299191

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    ¥1.402717

    ¥1.344614

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    说明:P沟道,-60V,-61A

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:N沟道,低压MOSFETs

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    30+

    100+

    500+

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    ¥2.929400

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P+N双沟道,30V/7.1A,-30V/-6A

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    1+

    10+

    30+

    100+

    500+

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:P沟道,-40V,-30A,18mΩ@-10V

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    1+

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    500+

    1000+

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    ¥1.063314

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